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BSS139H6327XTSA1  与  BSS139 H6906  区别

型号 BSS139H6327XTSA1 BSS139 H6906
唯样编号 A-BSS139H6327XTSA1 A-BSS139 H6906
制造商 Infineon Technologies Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 通用MOSFET 小信号MOSFET
描述 MOSFET N-CH 250V 100MA SOT23-3
数据表
RoHs 不符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散(最大值) 360mW(Ta) -
宽度 - 1.3mm
Rds On(Max)@Id,Vgs - 7.8Ω
上升时间 - 5.4ns
产品特性 车规 车规
Qg-栅极电荷 - 3.5nC
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 76pF @ 25V -
栅极电压Vgs - 20V
正向跨导 - 最小值 - 60mS
封装/外壳 SOT-23 -
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) 3.5nC @ 5V -
工作温度 -55°C~150°C(TJ) -55°C~150°C
连续漏极电流Id - 100mA
配置 - Single
长度 - 2.9mm
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) 14 欧姆 @ 100uA,10V -
Vgs(最大值) ±20V -
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) 0V,10V -
下降时间 - 182ns
高度 - 1.10mm
技术 MOSFET(金属氧化物) -
漏源极电压Vds - 250V
Pd-功率耗散(Max) - 360mW
典型关闭延迟时间 - 29ns
FET类型 N 通道 N-Channel
不同Id时Vgs(th)(最大值) 1V @ 56uA -
通道数量 - 1Channel
FET功能 耗尽模式 -
25°C时电流-连续漏极(Id) 100mA(Ta) -
漏源电压(Vdss) 250V -
典型接通延迟时间 - 5.8ns
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
BSS139H6327XTSA1 Infineon  数据手册 通用MOSFET

N 通道 -55°C~150°C(TJ) 车规 SOT-23

暂无价格 0 当前型号
BSS139 H6906 Infineon  数据手册 小信号MOSFET

250V 100mA 7.8Ω 20V 360mW N-Channel -55°C~150°C 车规

暂无价格 0 对比

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